陶瓷电容主要分为三类:高压陶瓷电容、多层陶瓷电容和半导体陶瓷电容。

1.高压陶瓷电容。

高压陶瓷电容的瓷料主要有钛酸钡基和钛酸锶基。钛酸钡基陶瓷材料具有介电系数高、交流耐压性好的优点,但也存在电容变化率随介质温度升高、绝缘电阻降低等缺点。钛酸锶晶体的居里温度为-250℃,常温为立方晶体钙钛矿结构,为顺电体,无自发极化现象。钛酸锶陶瓷材料在高电压下的介电系数变化小,tgδ和电容变化率小,作为高压电容介质非常有利。

2、多层陶瓷电容

多层陶瓷电容是片式元件中应用最广泛的一种。它将内部电极材料与陶瓷坯体交替并联,烧成一个整体。又称片式独石电容,具有尺寸小、比容高、精度高的特点。它可以安装在印刷电路板(PCB)和混合集成电路(HIC)基板上,有效缩小电子信息终端产品(尤其是便携式产品)的体积和重量,提高产品的可靠性。符合IT产业小型化、轻量化、高性能、多功能的发展方向,国家2010年远景目标纲要明确提出将表面贴装元器件等新元器件作为电子产业发展的重点。它不仅封装简单,密封性能好,而且能有效隔离异性电极。在电子线路中,MLCC可以起到储存电荷、阻断DC、滤波、祸合、区分不同频率、调节电路等作用。可部分替代高频开关电源、计算机网络电源和移动通信设备中的有机薄膜电容和电解电容,大大提高高频开关电源的滤波性和抗干扰性。

3、半导体陶瓷电容。

(1)在晶界层陶瓷电容晶粒发育充分的BaTiO3半导体陶瓷表面有适当的金属氧化物(如CuO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等)。),在适当的温度下在氧化条件下进行热处理,涂有的氧化物会与BaTiO3形成低共溶液相,沿开口气孔和晶界迅速扩散到陶瓷内部,在晶界上形成薄薄的固溶体绝缘层。这种薄固溶体绝缘层的电阻率很高(可达1012~1013ω·cm)。虽然陶瓷的晶粒内部仍然是半导体,但整个陶瓷体表现为显介电常数高达2×104至8×104的绝缘介质。用这种瓷器制成的电容称为晶界层陶瓷电容(boundarglayerceramiccapacitor),简称BL电容。

(2)表面陶瓷电容电容的微小型化,即电容在尽可能小的体积内获得尽可能大的容量,这是电容的发展趋势之一。对分离电容组件而言,微小型化的基本途径有两种：①尽可能增加介质材料的介电常数；②尽可能减少介质层的厚度。铁电陶瓷的介电常数在陶瓷材料中很高,但用铁电陶瓷制作普通铁电陶瓷电容时,陶瓷介质很难做得很薄。首先,铁电陶瓷强度低,薄时容易破裂,实际生产操作困难。其次,陶瓷介质薄时容易造成各种组织缺陷,生产工艺难度大。