mos管是金属-氧化物-半导体(semiconductor)场效应晶体管，或金属-绝缘体-半导体。source和draindrain可以对调，都是P型backgate中形成的N型区域。大多数情况下，这两个区域是一样的，即使两端对调，也不会影响设备的性能。这种设备被认为是对称的。

双极晶体管放大输入端电流的微小变化后，在输出端输出大的电流变化。双极晶体管的增益定义为输出输入电流之比(beta)。另一种晶体管称为场效应管(FET)，将输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于其transconductance，定义为输出电流和输入电压的比例。市场上常见的有N沟和P沟。详见右图(N沟耗尽型MOS管)。低压mos管是P沟道中常见的。

场效应管通过投影电场在绝缘层上影响流经晶体管的电流。实际上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流很小。最常见的FET使用薄层二氧化硅作为GATE极下绝缘体。该晶体管称为金属氧化物半导体晶体管，或金属氧化物半导体场效应管。由于MOS管更小更省电，所以它们已经在许多应用中取代了双极晶体管。