Semihow
产品型号:HRLF190N03K
产品型号:HRLF190N03K
型号 | VDSS(电压) | R@JC(热阻) |
HRLF190N03K | 30V | 4.6℃/W |
Package(封装) | ID(电流) | RDS(on)(内阻) |
8DFN5x6 | 31A | 0.019Ω |
PD(功率) | 包装方式 | 库存数量 |
27W | / | 15K |
1、semihow 的COOLMOS是多层外延工艺,目前国内能生产的厂家不多,韩国三星晶圆代工,8寸晶圆产能有保障,辐射效果比沟槽工艺的coolmos低3~5DB,同规格型号来看,多层外延工艺的MOS抗 冲击能力强。
2、同电流规格情况下,coolmos比平面MOS的内阻小,损耗低,会大幅度降低MOS的导通损耗 。
3、COOL MOS效率高,因为内阻小,产品效率更好,尤其在大功率电源产品上,优势表现的更为突出
4、温度低,工艺要求比平面MOS更严格,同等功率下COOL MOS晶圆面积比平面 MOS小,有利于电源系统功率密度的提高。
2、同电流规格情况下,coolmos比平面MOS的内阻小,损耗低,会大幅度降低MOS的导通损耗 。
3、COOL MOS效率高,因为内阻小,产品效率更好,尤其在大功率电源产品上,优势表现的更为突出
4、温度低,工艺要求比平面MOS更严格,同等功率下COOL MOS晶圆面积比平面 MOS小,有利于电源系统功率密度的提高。
产品描述
/ Product Description
产品参数
/ Product parameters